Tecnología protectora del estaño

Fabricación de conductores finos (50 µm lines/spaces) mediante estructuración por láser de estaño químico

La estructuración de protectora de estaño se adecua extraordinariamente para la fabricación de zonas conductoras finísimas sobre multicapas HDI. El material base completamente encobrado se recubre en primer lugar químicamente con una superficie homogénea de estaño. A continuación se retira el protector de estaño en la zona en la que se desea el ataque corrosivo del láser.

Ventajas de la estructuración por láser

• sin fotolitografía
• reducción de los fases tecnológicas
• son posibles zonas conductoras muy finas con < 50 µm lines y spaces
• reducción eficiente del diámetro de pad así como de distancias y anchos de circuitos impresos
• adecuado óptimamente para pequeñas zonas con densidad de integración elevada, es decir, las zonas grandes se fabrican fotolitográficamente de forma convencional, las zonas pequeñas de densidad de integración elevada mediante estructuración por láser
• corrección automática de posición y distorsiones de material causadas por el proceso mediante registro de marcas de registro de la capa interior o exterior y escalado en línea
• compatible con el chapeado estándar y procesos corrosivos
• estructuración directa a partir de datos de CAD