Chapeado de patrón

Fabricación de conductores finos (< 50 µm lines/spaces) mediante estructuración por láser de protectores galvánicos convencionales

La estructuración por láser se puede incorporar sin problemas al proceso de chapeado de patrón, con el fin de fabricar zonas de finísima definición < 50 µm  sobre una placa de circuito impreso. Las zonas de mínima definición de estructura se exponen convencionalmente a través de películas. Las zonas de conductores finos se exponen asimismo, aunque hay que ilustrarlas sin estructuras a través de la película. Después del desarrollo del protector seco se estructuran las zonas de conductores finos por medio de láser. Luego siguen los procesos usuales en el chapeado de patrón: cobre galvánico para construir el grosor del cobre terminal, estaño galvánico como protector contra corrosivos, decapado del protector seco y corrosión amoniacal del cobre inicial para la creación de la red conductora.

Ventajas de la estructuración por láser

• mediante corrosión del grosor mínimo del cobre inicial son posibles anchos y distancias de circuito impreso muy finos
• reducción eficiente del diámetro de pad, así como de distancias y anchos de circuitos impresos
• adecuado óptimamente para pequeñas zonas con densidad de integración elevada, es decir, las zonas grandes se fabrican fotolitográficamente de forma convencional, las zonas pequeñas de  densidad de integración elevada mediante estructuración por láser
• corrección automática de posición y distorsiones de material causadas por el proceso mediante registro de marcas de registro de la capa interior o exterior y escalado en línea
• compatible con el chapeado estándar y procesos corrosivos
• Estructuración directa a partir de datos de CAD